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EM Resist社製 各種レジスト | 半導体 レジスト

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EM Resist社製 各種レジスト | 半導体 レジスト
電子線レジスト SML Resist / PMMA Resist / HSQ Resist 、フォトレジスト SU-8 Resist
20年以上にわたり電子線リソグラフィ および ナノ加工用材料を専門的に開発している、イギリス EM Resist社製のレジスト(感光材)。
電子線レジスト (Electron Beam Resist/EB resist) を中心に、フォトレジストも取り扱っております。


取り扱いレジストの主な特徴

SML レジスト :
高解像度でプラズマエッチングに対する耐性に優れたマスク。
大規模集積回路 (LSI) 製造工程において、超LSI向けの微細加工に使用される。

PMMA レジスト :
高解像度と加工精度に優れたマスク。
高アスペクト比の微細パターン形成が可能で、
ナノインプリントリソグラフィーや、MEMSやNEMS分野の研究開発に使用される。

HSQ レジスト :
高解像度かつエッチング耐性に優れたマスク。
ナノデバイスや量子ドットの製造、ナノスケールの構造作成に適し、
半導体製造やMEMSの製造プロセスでも使用される。

SU-8 レジスト :
厚膜形成と機械的強度に優れたマスク。
MEMSやマイクロ流体デバイス、バイオチップの製造における厚膜構造や
高アスペクト比のパターン形成に広く使用される。


主な用途
- ウエハー上に回路パターンを形成
- イオン注入向けマスク
- 選択的エッチングを行うためのマスク
- ウエハー表面の保護(パッシベーション)
- 半導体CMPプロセスで使用領域を規定

研究分野
- ナノリソグラフィ
- イオンビーム技術
- マイクロファブリケーション技術
- 半導体製造技術

検索キーワード:
電子ビーム描画装置 / 電子線描画装置 / Electron Beam Lithography / SML Resist / PMMA Resist / SU-8 Resist / HSQ Resist / H-SiOx / ウエハー回路パターン形成 / イオン注入向けマスク / 選択的エッチング用マスク / ウエハー表面保護 / 半導体CMPプロセス用材料 / 半導体研究用レジスト / ナノリソグラフィ / マイクロファブリケーション / 半導体リソグラフィ / 半導体加工マスク / MEMS製造用レジスト / イオンビームリソグラフィ / パッシベーションマテリアル


研究テーマ・研究分野の例:
再生可能エネルギー / 電極材料 / グリーンケミストリー / ナノテクノロジー / 半導体製造技術 / マイクロファブリケーション技術 / ナノリソグラフィ / イオンビーム技術



メーカー
EM Resist Ltd.
https://www.emresist.com/

EM Resist社製 各種レジスト | 半導体 レジストの取り扱い商品の一例

商品名 納品方法 納期 価格
SML Resist (レジスト膜厚/容量をお知らせください) 弊社より配送 お問い合わせください お問い合わせください
PMMA Resist (分子量/希釈度/容量をお知らせください) 弊社より配送 お問い合わせください お問い合わせください
HSQ Resist (濃度/容量/タイプをお知らせください) 弊社より配送 お問い合わせください お問い合わせください
SU-8 Resist (ご希望の製品名をお知らせください) 弊社より配送 お問い合わせください お問い合わせください
EM Resist製品 (ご希望の製品名等をお知らせください) 弊社より配送 お問い合わせください お問い合わせください
サポートパック あんしんプラス(オプション)

製品価格の5~10%/年

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EM Resist社製 各種レジスト | 半導体 レジストの商品説明


EM Resist 社では、以下のレジストを取り扱っています。

ポジ型 ネガ型
電子線レジスト SML Resist / PMMA Resist HSQ Resist
フォトレジスト - SU-8 Resist




SML Resist / 製品詳細(メーカーWEBサイト)

低加速電圧でも近接効果補正を使用せずに
高解像度・高アスペクト比のパターンに同時にパターニングが可能な、
特別に設計された新しいレジスト。

レジスト膜厚は以下からお選びいただけます。
・SML50 : 40nm - 100nm
・SML100 : 90nm - 210nm
・SML300 : 250nm - 600nm
・SML600 : 575nm - 1300nm
・SML1000 : 990nm - 2000nm
・SML2000 : 1800nm - 5000nm

ご希望のボトルサイズ(容量)をお知らせください
50mL/100mL/150mL/200mL/250mL/500mL/750mL/1000mL


製品詳細

・Very high resolution : <10nm
・Very high aspect ratio :
… >10:1 @ 30 kV
… >50:1 @ 100 kV
・Thickness : 50 nm - 2000 nm
・Superior LER/LWR
・Very straight sidewalls
・Excellent surface adhesion (HMDS not required)
・Excellent etch resistance

推奨処理条件

・Casing solvent : Anisole
・Pre-bake : 180°C for 2 minutes
・Exposure : 200-500 μC/cm2 @ 30kV
・Developer : MIBK:IPA (1:3) for 30s. All other PMMA developers will also work with SML resist.
・Stopper : IPA for 15s
・Remover : Acetone

※レジストの保存可能期間は12ヶ月です。 直射日光を避け、常温で保存してください

SML Resist 写真 ※クリックで拡大します

写真はともに50mLのボトル。





PMMA Resist / 製品詳細(メーカーWEBサイト)

業界標準のPMMA(ポリメチルメタクリレート)レジスト。

Molecular Weight(分子量)を 950K/495K/120K/35K からお選びいただけます。
Dilutions (希釈度)は以下からご指定いただけます。
・950K/495K … A2〜A10
・120K/35K … A2〜A12

ご希望のボトルサイズ(容量)をお知らせください
250mL/500mL//1000mL/1500mL/2000mL/2500mL/3000mL


また T型ゲートなどの二層レジスト用途にPMMAと組み合わせて使用可能な
P(MMA-MAA)コポリマーレジストもございます。
P(MMA-MAA)は高感度ポジトーンレジストとして単独で使用することもできます。

・PMMA Copolymer Resist P(MMA(8.5)MAA) EL13 (250mL)
※EL13 : Ethyl Lactate (乳酸エチル) 13% solid content

その他の 固形分/容量をご希望の際にはお問い合わせください。


推奨処理条件

・Casing solvent: Anisole
・Pre-bake: 180°C for 2 minutes
・Exposure: 100-300 μC/cm2 @ 30kV
・Developer: MIBK:IPA (1:3) for 30s. All other PMMA developers will also work with SML resist.
・Stopper: IPA for 15s
・Remover: Acetone

※レジストの保存可能期間は12ヶ月です。 直射日光を避け、常温で保存してください






HSQ Resist / 製品詳細(メーカーWEBサイト)

優れたエッチング特性を有する高解像度ネガ型電子ビームレジスト。

濃度を 1% / 2% / 4% / 6% からお選びください。
標準のボトルサイズ(容量)は50mLとなります。
その他の濃度や容量をご希望の際はお問い合わせください。


あらかじめMIBKで希釈・ろ過された状態の「in Solution」タイプの他、
HSQパウダー、乾燥MIBK、クリーンボトル、フィルター、シリンジ で構成された
Powder Kit」タイプもございます。
Powder Kitは ユーザー自身でカスタム希釈を行うことができ、
またレジストの保存期間の延長とレジスト性能を保つことができます。




製品詳細

・Direct write and thin uniform films
・High resolution (<10 nm features)
・Excellent line edge roughness
・Good dry etch resistance
・Available in powder form to meet every need
・Very long shelf life at 20°C (in powder form)






SU-8 Resist / 製品詳細(メーカーWEBサイト)

半導体用途に最適なフォトレジスト。
以下の製品ラインアップがありますのでご希望の製品をお知らせください。

製品名 膜厚範囲 コーティングオプション
GM1010 0.2 μm スプレーコート
GM1020 0.2 - 0.5 μm スピン、スプレー、インクジェット
GM1030 0.5 - 1.2 μm スピン、スプレー、インクジェット
GM1040 0.9 - 3.2 μm スピン、スプレー、インクジェット
GM1050 3 - 8 μm スピン、インクジェット
GM1060 2 - 27 μm スピン、インクジェット
GM1070 15 - 200 μm スピン、インクジェット
GM1075 100 - 400 μm スピン、インクジェット


※容量は250mL以上からお選びいただけます


推奨処理条件 (基本)

・Substrate preparation
・Spin coating
・Relaxation time to improve the surface uniformity
・Soft-bake
・Exposure to initiate cross-linking
・Post exposure bake
・Development
・Rinse & Dry
・Optional hard bake



レジスト用の現像液(Developers) および 剥離液(Remover)もございます。
詳細はこちら



【近接効果補正とは】
近接効果補正とは、微細なパターンを形成する際に生じる近接効果(パターン同士が影響し合う現象)を補正する技術です。
SML Resist / PMMA Resistは、微細な構造物を高精度に作製する際に近接効果を考慮した特殊なレジストです。例えば、高密度の集積回路やMEMSデバイスなどでの微細なパターン形成に適しています。

【関連研究キーワード】
ナノフォトリソグラフィ / ナノリソグラフィ材料 / マイクロ加工技術 / 半導体デバイス製造 / フォトリソグラフィ / ナノテクノロジー応用 / イオンビームリソグラフィ技術 / MEMS製造プロセス / 高密度集積回路製造 / エッチングマスク材料

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  4. メールへの返信にてご注文の旨をお知らせください
  5. 商品代金のお支払いをお願いします(次項の「支払い方法」をご覧ください)
  6. 配送、またはメール(電子デリバリー)にて商品をお届けします
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  • 法人掛売り(※) :
    納品・請求書による後払いです。
    ご注文手続きはお見積もりメールへの返信のみでけっこうです。
  • 銀行振込:
    ご注文の返信メールをいただいた後、弊社指定の銀行口座へのお振込みを確認した時点で注文の確定とさせていただきます。

※法人掛売りでのお支払いについては一定の条件がございます
お支払い方法の詳細はお見積もりメールに記載しておりますので、ご確認ください。

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商品名 納品方法 納期 価格
SML Resist (レジスト膜厚/容量をお知らせください) 弊社より配送 お問い合わせください お問い合わせください
PMMA Resist (分子量/希釈度/容量をお知らせください) 弊社より配送 お問い合わせください お問い合わせください
HSQ Resist (濃度/容量/タイプをお知らせください) 弊社より配送 お問い合わせください お問い合わせください
SU-8 Resist (ご希望の製品名をお知らせください) 弊社より配送 お問い合わせください お問い合わせください
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