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QST (Qromis Substrate Technology) 基板の製品概要
QST (Qromis Substrate Technology) 基板は、GaN (窒化ガリウム)デバイスのために設計された専用のエンジニアード基板です。
GaNは高効率パワー半導体や高周波デバイスとして期待されていますが、従来の基板では材料特性の違いにより、反りやひび割れが生じやすいという課題がありました。QST基板は、この課題に対処するために開発されたもので、GaNが安定して成長しやすい基盤環境を提供します。
また、大口径ウェハにおけるGaN成長を扱いやすくする点も特徴で、研究開発段階から量産プロセスの検討まで幅広く活用できます。GaNデバイス開発に求められる「材料適合性」と「プロセスの扱いやすさ」を両立した、GaN向けの新しい基板技術です。
主な用途
- GaN材料研究
- GaNエピタキシャル成長検討
- GaNデバイス試作
- GaN量産プロセス評価
- GaNデバイス製造工程
QST (Qromis Substrate Technology) 基板の製品仕様
対応ウェハ径 (提供サイズ)
- 6インチ
- 8インチ
- 12インチ
基板種別
- Substrates (基板)
- Epi wafers (エピタキシャルウェハ)
技術コンセプト
- GaNに適した熱膨張特性 (CTEマッチング) を持つ複合材料基板
- Siファブ互換プラットフォームに対応
- GaN成長を前提に設計されたエンジニアード基板
対応GaNアプリケーション例
- RFデバイス
- LEDデバイス
- パワーエレクトロニクス向けデバイス
メーカーサイトURL
QST (Qromis Substrate Technology) 基板 / 詳細 (メーカーページ)
主な機能
- CTEマッチング
GaNに近い熱膨張特性を持つ基板構造により、エピ成長時の応力を制御し、反りや割れの発生を低減。 - 厚膜GaN成長
数µm〜数十µm級の厚膜GaNを安定的に形成できる基板設計で、バルクに近いGaNエピタキシャル成長を実現。 - 大口径対応
6・8・12インチの複数径ウェハでGaNエピを扱える基板構造により、大口径化を支える製造プラットフォーム構成。 - 多用途GaN対応
RF、LED、パワーなど異なるGaNデバイス構造を、共通の基板プラットフォーム上で成長・形成できるプロセス対応性。 - 低欠陥GaN成長
低Bow値や低転位密度のGaN成長を可能にする基板特性により、高結晶性GaNエピ層の形成を支援。
導入のメリット
- 開発安定化
基板起因のトラブルを抑えられ、GaNデバイスの試作・評価を計画的かつ安定した条件で進められる開発環境の確立に貢献。 - 研究領域拡大
高耐圧や新構造デバイスなど、これまで扱いづらかった開発テーマにも取り組みやすくなり、GaN関連研究の領域拡大を実現。 - 試作から量産へ移行
同一プラットフォームで複数のウェハ径に対応できるため、試作段階から量産プロセス検討までのスムーズな移行が可能。 - 複数用途の統合開発
RF、LED、パワーなど異なるGaN用途をまとめて進めやすく、開発リソースを一元化した複数用途の統合開発体制の構築に貢献。 - 評価再現性向上
材料品質のばらつきに左右されにくく、実験結果の再現性と評価データの信頼性を高めたGaNデバイス評価の精度向上に寄与。
研究関連キーワード
「CTEマッチング」とは、材料同士の熱膨張係数をできるだけ近づけることで、加熱・冷却時の伸び縮みの差を抑え、界面に生じる応力を低減しようとする設計概念です。異種材料を積層する半導体デバイスでは、反りやクラック、剥離などの不具合を抑える上で重要な考え方とされています。QST基板はGaNに近い熱膨張特性を持つよう設計されており、このCTEマッチングを中核に据えた基板技術です。
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